Jump to content
LeX LuTHoR

Memoria de 1000 de ori mai rapida decat flash-ul

Recommended Posts

Memoria de 1000 de ori mai rapida decat flash-ul

Un grup de cercetatori de la Universitatea din Pennsylvania a realizat o noua tehnologie de memorie non-volatila de 1000 ori mai rapida decat memoria flash si care poate stoca informatii timp de 100.000 ani. Grupul de cercetatori, condus de Ritesh Agarwal (in imagine), a realizat o varianta a memoriei cu schimbare de faza (Phase Change Memory - PCM sau PRAM), bazata pe nanofire auto-asamblate, realizate dintr-un material numit "germanium antimony telluride", capabil sa treaca foarte repede de la starea amorfa la cea cristalina, un factor esential pentru acest tip de memorie. Spre deosebire de alte tehnologii de memorii PRAM, precum cea de la Intel, tehnologia dezvoltata la Universitatea din Pennsylvania se bazeaza pe aceste nanofire, cu un diametru de aproximativ 100 de atomi, realizate printr-un proces de auto-asamblare. Prin acest proces, diferiti reactanti chimici se cristalizeaza la temperaturi joase in prezenta unor nano-catalizatori metalici, formand in mod spontan nanofire de 30-50 nm diametru si 10 micrometri lungime. Primele teste efectuate cu acest tip de memorie au rezultat in timpi de scriere, stergere si citire de date de ordinul a 50 nanosecunde, adica de aproximativ 1000 de ori mai rapide decat memoriile flash tipice din ziua de astazi, consumand in acelasi timp si foarte putina putere pentru codificarea datelor, aproximativ 0,7 mW per bit. In plus, tehnologia pare sa fie si foarte durabila. Conform lui Agarwal, un astfel de device nu si-ar pierde informatiile stocate nici dupa aproximativ 100.000 de ani de folosire. Tehnologia este scalabila pana la capacitati de terabit, dar este deocamdata destul de departe, la 8-10 ani, de a deveni comerciala.

Sursa : www.blitztech.ro

Link to comment
  • Recently Browsing   0 members

    • No registered users viewing this page.
×
×
  • Create New...